Оперативная память
Оперативная память Kingston SODIMM DDR4 4 ГБ ACR26D4S9S1KA-4/4G
Модель: Kingston [ACR26D4S9S1KA-4]
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: SODIMM
Объем одного модуля памяти: 4 ГБ
Тактовая частота: 2666 МГц
оперативная память AMD r538q1601u2s-u DDR3 SODIMM 1600MHz 8GB
Тип памяти: DDR4
Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ
Объем одного модуля памяти: 8 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Частота: 3200 МГц
оперативная память sodimm ddr4 samsung 4gb
Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTD
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тип: DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота: 2666 МГц
Тайминги: 19-19-19
Напряжение питания: 1.2 В
Пропускная способность: PC21300
AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL16 R744G2606S1S-U
Объем: 4 ГБ;
Частота: 2666 МГц;
Латентность: CL16;
Тайминги: 16-18-18-35;
Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin;
Оперативная память SODIMM Samsung DDR4 4 gb
Тип: DDR3
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тактовая частота: 1333 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
CL: 9
Производитель: HyperX
Тип: DDR3
Объем одного модуля: 4 ГБ
Тактовая частота: 1333 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
CL: 9
Особенности: Unregistered
Производитель: Samsung
Модуль памяти Sаmsung SODIМM DDR3L 8Гб частота 1600 МНz 1,35V РС3L-12800S
Оперативная память SODIMM 4 Gb DDR3L Samsung частота 1600
Оперативная память hynix 4gb SODIMM DDR3 HMT351S6CFR8C-PB бу
Оперативная память Kingston SODIMM DDR3 2 ГБ ACR256X64D3S 1333 бу
Оперативная память для ноутбуков SO-DIMM DDR3 4GB 1333MHz PC3-10600 MFCCR529SA0101 PQI
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота (МГц): 1600 МГц
Форм-фактор: для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Бренд: Hynix
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.5 В
- Nanya
- 4GB
- DDR3
- 1333
- 10600
Оперативная память SODIMM ddr4 8ГБ noname б/у
Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 KVR26S19S6/8