Оперативная память

Оперативная память hynix 4gb SODIMM DDR3 HMT351S6CFR8C-PB бу

Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM

Тип памяти: DDR3
Тактовая частота (МГц): 1600 МГц
Форм-фактор: для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Бренд: Hynix
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память Kingston SODIMM DDR4 4 ГБ ACR26D4S9S1KA-4/4G

Модель: Kingston [ACR26D4S9S1KA-4]
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: SODIMM
Объем одного модуля памяти: 4 ГБ
Тактовая частота: 2666 МГц

оперативная память AMD r538q1601u2s-u DDR3 SODIMM 1600MHz 8GB

Тип памяти: DDR4
Суммарный объем памяти всего комплекта:  8 ГБ
Объем одного модуля памяти: 8 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Частота: 3200 МГц

оперативная память sodimm ddr4 samsung 4gb

Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTD
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тип: DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота: 2666 МГц
Тайминги: 19-19-19
Напряжение питания: 1.2 В
Пропускная способность: PC21300

AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL16 R744G2606S1S-U

Объем: 4 ГБ;
Частота: 2666 МГц;
Латентность: CL16;
Тайминги: 16-18-18-35;
Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin;

Оперативная память SODIMM Samsung DDR4 4 gb 

Тип: DDR3
Объем одного модуля: 8 ГБ
Тактовая частота: 1333 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
CL: 9
Производитель: HyperX

Тип: DDR3
Объем одного модуля: 4 ГБ
Тактовая частота: 1333 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
CL: 9
Особенности: Unregistered
Производитель: Samsung

Модуль памяти Sаmsung SODIМM DDR3L 8Гб частота 1600 МНz 1,35V РС3L-12800S

Оперативная память SODIMM 4 Gb DDR3L Samsung частота 1600

Оперативная память Kingston SODIMM DDR3 2 ГБ ACR256X64D3S 1333 бу

Оперативная память SODIMM ddr4 8ГБ noname б/у

Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 KVR26S19S6/8